干货放送，当MOS管遇上米勒电容该如何应对？

米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。

那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让专业半导体厂家告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。

半导体厂家——飞虹为您介绍，米勒电容不是个实在存在MOSFET中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。

所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，MOS管如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题，工程师们可以查询数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下，功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。

综上所诉，MOS管工程师在进行测试的过程中，一旦遇到米勒效应电容问题，首先要依据查询数据手册进行计算，在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。除此之外，依据米勒定理进行合理运用，也是能够帮助工程师读懂波纹并找出问题的关键所在。广州飞虹，主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，更多关于半导体资讯和合作，敬请关注联系我们。