高压H桥PWM马达驱动应用FHP8N60型号，替代FQP8N60场效应管！

电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。由命名即可可知，MOS管对于高压H桥PWM马达驱动意味着是其“生命”，这款产品常会用FQP8N60型号参数来应用。

但是由于FQP8N60是一款国外mos管型号应用于高压H桥PWM马达驱动产品中。在全球化形势不明朗的商业状态下，各个电子企业均在强化国内的器件供应商库，建立国内优质的MOS管产品供应商也是高压H桥PWM马达驱动厂家必要的事情。在国内场效应管市场中，飞虹的FHP8N60型号N沟道增强型高压功率MOS场效应管即可跟FQP8N60型号参数进行对标。

目前市面上除了常见的FQP8N60型号会应用在高压H桥PWM马达驱动上外，还有TK10A60DA的MOS管在应用，高压H桥PMW马达驱动mos管如果说是选择国内优质的供应商则更推荐使用飞虹电子的型号：FHP8N60。

飞虹这款FHP8N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于高压H桥PWM马达驱动、DC-DC电源转换器、AC-DC开关电源，在使用方面是不仅能匹配型号为FQP8N60的国外场效应管，还能代用TK10A60DA型号的场效应管。

这款FHP8N60的特点是8.0A, 600V, RDS（on） = 1.2Ω（max） @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。

FHP8N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263，脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：8；BVdss（V）：600。

作为一家高新技术企业，高压H桥PMW马达驱动mos管飞虹自2008年至今，共获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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