因为芯片的紧缺,场效应管需求也变大。场效应管供不应求,不少电子厂商都在寻求能够替代FQP18N50参数场效应管的国内优质场效应管型号。幸运的是,目前市面上也出现了优质的国内场效应管型号:FHP18N50 能够对标FQP18N50。
为什么说FHP18N50是可以直接跟FQP18N50型号对标替代使用呢?我们可以先来看看这一款FHP18N50场效应管的特点:18A, 500V, RDS(on) = 0.32Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快,内阻低,温升低。
根据以上参数特点,我们可先看DC/DC转换器分为三类:降压型DC/DC转换器、升压型DC/DC转换器以及升降压型DC/DC转换器。根据需求可采用三类控制。PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹波和噪声。PFM控制型即使长时间使用,电源转化器FQP18N50参数场效应管尤其小负载时具有耗电小的优点。
目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管:FHP18N50,它在使用性能参数方面不仅能匹配型号为FQP18N50的场效应管,也是能够代用FQP16N50型号的场效应管。目前广泛使用的场景是DC-DC电源转换器、DC-AC电源转换器、开关电源、紫外线灯电子镇流器四款产品中。
FHP18N50的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-3PN,电源转化器FQP18N50参数场效应管脚位排列位GDS。这款场效应管参数:Vgs(±V):25;VTH(V):3-5;ID(A):18;BVdss(V):500。
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