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替代2SK2837场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的24Amos管！
替代2SK2837场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的24Amos管！
文章作者：飞虹电子
浏览量：3063
类型：行业资讯
日期：2020-12-22 11:18:28
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常用在高压H桥PWM马达驱动的国外场效应管有2SK2837，但是在全球化形式不明朗的商业状态下，又碰上了疫情。各个电子厂家都在强化自身在国内的元器件供应商库。
在国内场效应管市场中，飞虹的FHP24N50型号N沟道增强型高压功率MOS场效应管即可跟2SK2837型号参数进行对标。
电子工程师都知道电机驱动采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，而H 桥是一个典型的直流电机控制电路，它的电路外形酷似字母 H，故得名叫“H 桥”。
由命名即可可知，MOS管对于高压H桥PWM马达驱动意味着是其“生命”，目前这款产品常会用2SK2837型号参数来应用。
目前市面上除了常见的2SK2837型号会应用在高压H桥PWM马达驱动上外，还有25N50的MOS管在应用，如果说要建立国内优质的供应商则更推荐使用飞虹电子的型号：FHP24N50，高耐压、质量好。
这款FHP24N50除广泛应用于高压H桥PMW马达驱动，替代高压2SK2837场效应管还常用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、逆变器电路（1200W）、开关电源五个场景中，为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，在使用方面是不仅能匹配型号为2SK2837的国外场效应管，还能代用25N50型号的场效应管。
这款FHP24N50的特点是24A, 500V, RDS（on） = 0.2Ω（max） @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。
FHP24N50的主要封装形式是TO-3PN，替代高压2SK2837场效应管脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：3-5；ID（A）：24；BVdss（V）：500。
作为一家高新技术企业，飞虹自2008年至今，共获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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热门标签：替代高压2SK2837场效应管
