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国产MOS管型号参数合集，推荐DC-DC电源电子开发工程使用！
国产MOS管型号参数合集，推荐DC-DC电源电子开发工程使用！
文章作者：飞虹电子
浏览量：8279
类型：行业资讯
日期：2022-03-17 16:50:52
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究竟电机驱动电路中有多少款MOS管是适合使用的呢？电子工程师开发时经常会遇到这个问题，网络上面要么是只能看到简单的数据，要么就是介绍得不太清晰的。因此今天飞虹电子整理了这一份电机驱动电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。
目前国产MOS管中，可替换多款场效应管产品使用的具体型号为：FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100，以上10款产品都是可以应用于电机驱动电路中的。
具体要怎么选择呢？当然需要结合产品的实际参数数据，具体我们来细看一些以上产品的核心参数情况：
1、FHP120N7F6A场效应管：
最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。
2、FHN60N1F10LA场效应管：
这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）、静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为10mΩ、VGS=4.5V则为12.5mΩ；反向传输电容：11pF。
3、FHP170N1F4A场效应管：
具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
4、FHP200N6F3A场效应管：
具体产品参数，具有200A、60V的电流、电压， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。
5、FHP200N4F3A场效应管：
具有200A、40V的电流、电压， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，DC-DC电源用mos管极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。
6、FHP150N03C场效应管：
这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。
7、FHP170N8F3A场效应管：
最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其连续漏极电流为185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为117.2A。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.95mΩ；反向传输电容：97pF。
8、FHP110N8F5B场效应管：
其产品参数：具有147A电流、85V电压， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高栅源电压 @VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
9、FHP100N8F6A场效应管：
100N8F6A场效应管的最高漏极－源极直流电压为85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，DC-DC电源用mos管其连续漏极电流为120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其连续漏极电流为80A，在TC=125℃下，其连续漏极电流为56A。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.3mΩ；反向传输电容：18pF。
10、FHP60N1F10A场效应管：
FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具备100% EAS测试，100% Rg测试，电机驱动用mos管100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
FHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
以上10款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现，具体可有电机驱动开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。
飞虹电子是优质的MOS管研发团队，过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发，让企业产品能够得到最优的保障。
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热门标签：DC-DC电源用mos管
