高效的H6拓扑,解决了传统桥式拓扑用于非隔离系统存在的逆变效率低、共模电流大等问题。但在实际的电路开发中，单相光伏并网逆变器主要是用650V、40A的IGBT，目前在市面上经常使用仙童FGH40N60SFD的型号参数应用。在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？
如何选择电子产品来代替使用呢？一定要注意产品质量，毕竟产品不行的话，直接影响自己的光伏逆变器。所以如何在国内找到能够替代仙童FGH40N60SFD完美使用的IGBT是很重要的。
这个问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏并网逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏并网逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。
其实对于基于H6桥的单相光伏并网逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA40T65A。毕竟FHA40T65A是可以替代FGH40N60SFD等IGBT的产品型号参数。
为何？因为FHA40T65A具备高可靠性，拥有反向并行的快恢复二极管，Trench Field Stop Ⅱ technology（拖尾电流非常短，出色的Vcesat饱和压降，关断损耗低），替换FGH40N60SFD,单相光伏并网逆变器IGBT替代型号拥有正温度系数。
从上述特点可知，这一款40A、650V电流、电压的FHA40T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在高频车载AC220V逆变器的电路上。
目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏并网逆变器研发工程师一定要了解优质FHA40T65A国产型号的详细参数：其具有650V、40A, VCEsat典型值：1.51V，＜1.85V；ID (Tc=100℃)：40A；BVdss：650V；IF（A）(Tc=25℃)：40；IF（A）(Tc=100℃)：20。
FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，替换FGH40N60SFD,单相光伏并网逆变器IGBT替代型号来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。
目前FHA40T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏并网逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、高频车载正玄波AC220V逆变器、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：仙童FGH40N60SFD。
FHA40T65A的封装形式是TO-3PN。这款产品参数：Vcesat-typ (@Ic=40A)：1.51V；ID（A）：40；BVdss（V）：650、Vge（±V）：30；。
在产品应用上，对于基于H6桥的单相光伏并网逆变器的的电路我们可以使用FHA40T65A型号的IGBT。
基于H6桥的单相光伏并网逆变器已经广泛应用于分布式发电系统中。因此对于基于H6桥的单相光伏并网逆变器如何在元器件上面提升产品质量，除选用FGH40N60SFD型号外，还可以用飞虹半导体的国产型号：FHA40T65A型号参数来替代。
飞虹电子主要经营IGBT、MOS管、场效应管、三极管等半导体器件。目前已取得美国GE、阳光照明、纽福克斯、雷士照明、易事特、茂硕、金莱特、华艺、佛山索尔等优质客户的认可与应用。致力为国内及全球电子厂商提供优质的配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。
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