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电机驱动电路使用的MOS管,10款场效应管详细参数数据呈现!
电机驱动电路使用的MOS管,10款场效应管详细参数数据呈现!
文章作者:飞虹电子
浏览量:14855
类型:行业资讯
日期:2022-03-17 16:41:04
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究竟电机驱动电路中有多少款MOS管是适合使用的呢?电子工程师开发时经常会遇到这个问题,网络上面要么是只能看到简单的数据,要么就是介绍得不太清晰的。因此今天飞虹电子整理了这一份电机驱动电路可使用的国产MOS管合集,供广大电子工程师参考。
目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100,以上10款产品都是可以应用于电机驱动电路中的。
具体要怎么选择呢?当然需要结合产品的实际参数数据,具体我们来细看一些以上产品的核心参数情况:
1、FHP120N7F6A场效应管:
最高漏极-源极直流电压为70V,在TC=25℃下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为80A。
最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.4mΩ;反向传输电容:24pF。
2、FHN60N1F10LA场效应管:
这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)、静态导通电阻(typ):VGS=10V则为10mΩ、VGS=4.5V则为12.5mΩ;反向传输电容:11pF。
3、FHP170N1F4A场效应管:
具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。
4、FHP200N6F3A场效应管:
具体产品参数,具有200A、60V的电流、电压, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。
5、FHP200N4F3A场效应管:
具有200A、40V的电流、电压, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,电机驱动电路用mos管极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。
6、FHP150N03C场效应管:
这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。
最大脉冲漏极电流(IDM ):600(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ;反向传输电容:405pF。
7、FHP170N8F3A场效应管:
最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。
最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。
8、FHP110N8F5B场效应管:
其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
9、FHP100N8F6A场效应管:
100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,电机驱动电路用mos管其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。
最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。
10、FHP60N1F10A场效应管:
FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具备100% EAS测试,100% Rg测试,电机驱动用mos管100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
FHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
以上10款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现,具体可有电机驱动开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。
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热门标签:电机驱动电路用mos管