电源逆变器效率与可靠性离不开场效应管内阻参数

在进行电源设计时，效率与可靠性都是设计者首先考虑的因素，在设计逆变电源时更是如此。逆变电源可靠性的提升对于新手们来说是一个较为头疼的问题，虽然有资料可供参考，但其中值给出了部分方法，却没有给出一些技巧或原理上的讲解。MOS管不同的封装形式对于原器件的参数设定与选型一样会影响到产品的可靠性,需要谨慎对待。

电源逆变器MOS管常用型号是需要按照输入或输出电压的不同来选择不同BVDSS电压的MOS管，随小编来看下权威品牌MOS管厂家飞虹电子设计的电源逆变器方案。

该方案前端DC-DC的升压采用推挽电路，MOS管开关晶体管Q1/Q2推荐输入电压：

到后端的AC-DC全桥逆变电路，根据亚洲、北美等不同国家市场对输出电压的使用要求不同，总结出电源逆变器的后端输出主要典型电压值为110V和220V。电源逆变器设计的电路输出波形主要为方波和正弦波。推荐Q3~Q6可参照下表来选择MOS。

这里给大家重点了解下40N20型号MOS管，MOS管40N20为N沟道低压大电流功率MOS场效应管, 因其产品特点开关速度快，广泛应用于电源逆变器。

Package：TO-220

BVdss（V）：200

PIN：GDS

Vgs（±V）：30

VTH（V）：2-4

ID（A）：40

RDS(on) = 90mΩ(max)@VGS=10V 

测试电路

ID电流是MOS芯片的最大电流，实际使用时的最大电流还要受封装的最大电流限制。设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。

以上就是飞虹电源逆变器的全部内容，需要设计电源逆变器不妨参考下其MOS管型号。广州飞虹半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年。

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