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代换VSP014N10MS型号参数的USB快充适配器电源国产MOS管：FHN60N1F10LA！
代换VSP014N10MS型号参数的USB快充适配器电源国产MOS管：FHN60N1F10LA！
文章作者：飞虹电子
浏览量：2120
类型：行业资讯
日期：2022-02-11 17:40:41
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在实际使用中整流同步的MOS管，可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOS管要求更为严苛，因此MOS管用量也呈上升趋势。常见的VSP014N10MS型号可用什么型号来替代使用呢？
对于USB快充适配器电源，其开发的电源电路中该如何选择一款优质的MOS管才能使产品更稳定？除了优质的产品参数外，稳定可持续供货能力也是非常重要的。
对于60A电流、100V电压参数的MOS管，能比较好的使用在USB快充适配器电源中。市场上能持续供货的就有FHN60N1F10LA这款产品，它可替代VSP014N10MS、AON6224、ZMS100N10N三款场效应管使用的国产MOS管。
其中它的参数决定它能够进行替换VSP014N10MS型号参数，让USB快充适配器电源更安全。它是由国内专注研发19年的MOS管厂家生产，它作为MOS管源头厂家生产的产品，是可以替换VSP014N10MS型号参数的场效应管。
对于USB快充适配器电源厂家来说，产品的安全性是非常重要的。因此选择一款保障安全、优质的MOS管来替换VSP014N10MS、AON6224、ZMS100N10N这几类型号使用是至关重要的。
如今国内经过几十年的电子产业发展，优质的FHN60N1F10LA国产场效应管已经能比较好的代换VSP014N10MS型号参数在USB快充适配器电源中使用。为什么？
我们来看看飞虹这款FHN60N1F10LA的具体产品参数，具有60A、100V的电流、电压，RDS(on) = 10mΩtyp) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，FHN60N1F10LAMOS管100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，极低的导通内阻RDS(on)，优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)，损耗低。
60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）、静态导通电阻（typ）：10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容：11pF。
在国产化的场效应管替换使用过程中，FHN60N1F10LAMOS管飞虹国产型号：FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动等；在使用方面是匹配型号AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N的场效应管。
100V、60A 的MOS管替换使用，选对的型号参数是很重要。飞虹已获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在USB PD 快充电源、DC/DC转换器、BLDC电机驱动中获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹MOS管厂家”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。
热门标签：FHN60N1F10LAMOS管
