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PD快充电源适配器的国产MOS管：60N1F10LA可替换ZMS100N10N的型号参数！
PD快充电源适配器的国产MOS管：60N1F10LA可替换ZMS100N10N的型号参数！
文章作者：飞虹电子
浏览量：2249
类型：行业资讯
日期：2022-02-11 17:44:01
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能为PD快充电源适配器厂家持续稳定供应性能优质的MOS管，并且其能够匹配ZMS100N10N场效应管的型号参数在PD快充电源适配器电路中使用的MOS管会有哪一款呢？
此处点名飞虹电子研发的一款MOS管产品目前在市场上可替换ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS这几款型号用于PD快充电源适配器。
它就是飞虹的60N1F10LA场效应管型号。为何说它是能够适用于PD快充电源适配器电路使用的优质国产MOS管呢？这一切都需要从其具体参数来看。
飞虹这款FHN60N1F10LA作为N 沟道增强型场效应晶体管，其产品参数：具有60A、100V的电流、电压，RDS(on) = 10mΩtyp) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，极低的导通内阻RDS(on)，ZMS100N10N替代型号优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)，损耗低。
60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）、静态导通电阻（typ）：10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容：11pF。
在国产化的场效应管替换使用过程中，飞虹国产型号：FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动等；在使用方面是匹配型号ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS的场效应管。
针对PD快充电源适配器想提升其用电安全性，ZMS100N10N替代型号选择国产化的场效应管替换使用过程中，我们更推荐使用优质的飞虹国产型号：FHN60N1F10LA型号参数来替换ZMS100N10N型号。
在国产化的场效应管替换使用过程中，FHN60N1F10LA型号参数还可替换ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS型号在不同的产品电路中使用。
除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有33年半导体行业经验以及18年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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热门标签：ZMS100N10N替代型号
